国民技术N32G0V1手机端快充协议芯片产品规格
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N32G0V1微控制器是一款针对手机端快充应用的协议产品,产品采用32位ARM Cortex®-M0内核,最高工作主频48MHz,集成高达32KB加密存储FLASH和3 KB SRAM;使用AMBA多总线结构设计,支持6个I/O,集成I2C和UART的数字通信接口。N32G0V1产品可稳定工作于-40°C至+85°C的温度范围,供电电压1.8V至5V,提供多种功耗模式供用户选择。
下图给出了N32G0V1总线框图:
下图为N32G0V1资源配置:
关键特性
内核 CPU
― 32 位 ARM Cortex-M0 内核,单周期硬件乘法指令
― 最高主频 48MHz
安全存储器
― 集成 32KByte 片内 FLASH,10 万次擦写次数,20 年数据保持
― 3KByte 数据 RAM,支持硬件奇偶校验
低功耗管理
― STANDBY 模式:85μA@VCC=3.3V/25℃ I2C,UART 接口不工作
― PD 模式:<1μA@VCC=3.3V/25℃,typical 0.5μA @VCC=3.3V/25℃
时钟
― 内部高速时钟 48MHz
复位
― 支持上电/掉电复位
― 支持软复位
― 支持外部复位源复位
― 支持低功耗模式复位
通信接口
― 1 路 UART 接口, 最高速率达 921600 bps
― 1 路主从 I2C 接口,支持最高速率 400kbps,兼容 1.8v/1.2v 电平通讯
定时计数器
― 2 个 32bit 定时计数器,支持输入捕获
― 1 个 24bit SysTick
― 1 个看门狗
编程方式
― 支持 UART Bootloader
128 位 UID
工作条件
― 工作电压范围:1.8 ~ 5V2 / 27
― 工作温度范围:-40 ~ 85℃
― 存储温度范围:-40 ~ 105℃
― ESD:±6KV(HBM 模型)
封装
― WLCSP8